ジョブNo.261836 成膜プロセスエンジニア

  • 正社員

非公開

【エピタキシャル装置、プラズマCVD装置でトップクラスのグローバル半導体製造装置企業!プラズマCVD装置は日本が開発の中心!】
【近年注目されているハフニウムを利用したゲート絶縁膜(High-k)の開発分野では先駆的な存在!】

■概要:CVD装置(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長法)やALD装置(Atomic Layer Deposition:原子層堆積法)のプロセス開発を行っていただきます。開発型の業務にはなりますが、装置調整作業, 客先デモ対応、開発進捗の客先プレゼンなどを幅広く対応する必要があります。
出張に関しては多い方で年の1/5前後がASM海外現法人、顧客先への出張となります。海外出張先は米国、台湾、アイルランド等です。

・半導体製造装置(プラズマCVD、プラズマALD-薄膜形成装置)での薄膜形成プロセスの開発およびプロセス技術の改善
・デバイス層間絶縁膜(Low-k膜)、ゲート絶縁膜向けのHigh-k膜の新規開発

■ASMグループにおける日本法人の立ち位置:
・外資系企業ながら開発拠点が日本にあり、CVD装置は研究開発から製造・部品調達、カスタマイズまで全て日本で行っています。製品毎に主要開発拠点があり、日本はCVD装置の開発拠点という位置づけになります。また、近年話題のハフニウム使用のゲート絶縁膜分野では先駆的な存在となります。

コンサルタント 畠山 紗衣

募集要項

職種 エンジニア(電気・電子・機械)系/回路設計(電気・電子・機械)
年収 580万円~720万円
勤務地 東京都
応募資格 ■以下いずれかの経験をお持ちの方
(1)半導体シリコンデバイスの成膜またはエッチングプロセス開発の経験者
(2)半導体微細加工プロセス装置に関する知識と材料技術/化学/物理での経験・知識

※プロセス・インテグレーション技術の経験者尚可
学歴
雇用形態 正社員(期間の定めなし)
勤務時間 08:45-17:30
[実働時間] 時間分
[残業時間] ~40
休日・休暇土、日、祝日
年間休日 125日
夏季休暇、年末年始休暇
待遇・福利厚生その他待遇・福利厚生
退職金 厚生施設
健康保険、厚生年金、労災、雇用保険
通勤交通費(全額)

企業情報

企業名非公開
業種・資本 メーカー系(電気・電子・半導体(メーカー))
ヘッドオフィス : 海外

成膜プロセスエンジニア

  • エンジニア(電気・電子・機械)系/回路設計(電気・電子・機械)
  • 580万円~720万円
  • 東京都